您现在的位置: 主页 > 科技前沿 >  正文
新型存储器及硬件安全芯片领域!中科院微电子所两论文
发布日期:2020-06-27 04:06   来源:未知   阅读:

集微网消息,近日,中科院微电子所刘明院士科研团队两篇研究论文入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会(Symposium on VLSI)。

在硬件安全芯片领域,刘明院士/吕杭炳研究员团队展示了一种利用电荷俘获鳍式晶体管(CT-FinFET)器件短期阈值电压恢复特征的真随机数发生器(TRNG)芯片。研究人员创新地设计了一种时间-频率转换电路,将CT-FinFET阈值电压的弛豫时间转变为高速真随机数据流。

据悉,上述研究成果以题为“Robust True Random Number Generator Using Stochastic Short-Term Recovery of Charge Trapping FinFET for Advanced Hardware Security”的论文入选2020 VLSI Technology。微电子所杨建国副研究员和丁庆婷博士为共同第一作者,吕杭炳研究员和刘明院士为通讯作者。

在新型存储器方面,刘明院士/吕杭炳研究员团队与复旦大学薛晓勇副教授合作首次提出了基于PMOS选择器的1T2R 结构RRAM单元,并采用分层位线和三态单元存储技术,使漏电流降低了90%以上。论文展示了28nm的1.5Mb RRAM测试芯片,将嵌入式NVM 存储密度记录提高了40%,达到14.8 Mb /mm2。

上述研究成果以题为“A 28nm 1.5Mb Embedded 1T2R RRAM with 14.8 Mb/mm2 Using Sneaking Current Suppression and Compensation Techniques”的论文入选2020 VLSI Circuit。微电子所杨建国副研究员为第一作者,吕杭炳研究员和复旦大学薛晓勇副教授为通讯作者。

据了解,刘明院士团队于2015年开始先后与国内主要代工厂中芯国际、华力微电子合作开发嵌入式RRAM的量产技术。而在RRAM高密度三维集成方面,刘明院士团队还提出了可与3D NAND相媲美的垂直三维集成架构,在国际上率先成功研制了4层(2015年 IEDM)与8层(2017年 IEDM)RRAM三维堆叠阵列。

据悉,VLSI与ISSCC(国际固态电路会议)、IEDM(国际电子器件会议)并称微电子技术领域的“奥林匹克盛会”,是超大规模集成电路和半导体器件领域里最顶尖的国际会议之一。

中科院微电子研究所官方消息显示,今年VLSI收到了创纪录数量的投稿,器件与工艺方向,中科院微电子所作为大陆唯一论文入选单位;电路设计方向,大陆也仅有两篇论文入选(另外一篇为浙江大学与德克萨斯大学奥斯汀分校合作论文),这也是中科院微电子所电路工作的首次入选。(校对/小北)